جذب مولکول آمونیاک در نانولولههای بریلیوم اکسید خالص و نانولولههای بریلیوم اکسید حاوی ناخالصی سیلسیم با استفاده از روش تیوری تابعیت چگالی (DFT)

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 479

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NCNTA04_036

تاریخ نمایه سازی: 5 اردیبهشت 1396

Abstract:

در این تحقیق سعی شده است با استفاده از روش تیوری تابعیت چگالی )DFT )و در سطح تیوری 53G-8 B5LYPتوضیح داده شود که ورود ناخالصی سیلسیوم چه تاثیری در خواص فیزیکی و شیمیایی نانولوله خواهد داشت. همچنین به بررسی تاثیر ورود ناخالصی بر روی میزان جذب گاز آمونیاک پرداخته شد. با انجام این محاسبات رسانایی الکتریکی، ممان دو قطبی، انرژی جذب، زمان بازیابی، میزان انتقال بار و پارامترهای ساختاری تعیین شدند. این بررسیها نشان دادند که در این سیستمها، جذب فیزیکی اتفاق نمیافتد و فرآیند جذب از نوع جذب شیمیایی میباشد، به همین دلیل این ترکیبات نمیتوانند کاندید مناسبی برای جذب مولکول آمونیاک باشند. حضور اتم سیلسیوم یه عنوان ناخالصی، میزان انرژی جذب را افزایش داده است. همچنین وجود ناخالصی باعث افزایش مدت زمان بازیابی ، افزایش میزان انتقال بار از مولکول آمونیاک به نانولوله، افزایش ممان دو قطبی و افزایش رسانایی الکتریکی شده است

Authors

نسرین طهرانی

دانشجو، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بروجرد

گودرز محسنی روزبهانی

استاد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بروجرد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Freeman C. L, Claeyssens F, Allan N. L and Hardin ...
  • AASHTO. LRFD bridge design specifications (4th ed.). Washington (DC): American ...
  • Chopra AK. Dynamics of structures: Theory and applications to earthquake ...
  • Gao P.X, Ding Y, Mai W, Hughes W. L, Lao ...
  • Goldberger J, He R, Zhang Y, Lee S, Yan H, ...
  • نمایش کامل مراجع