طراحی یک مدل مداری جدید در زمینه چند برابر کننده های ولتاژ حساس به سطح ورودی، با کمک ترانزیستورماسفت
Publish place: Conference on the Development of Advanced Research in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 530
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD01_021
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
Abstract:
چند برابر کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلفی کاربردهای خود را نشان داده اند، ازجمله پزشکی، نظامی و حوزه های مختلف صنعتی. همزمان با پیشرفت تکنولوژی در زمینه های علوم مهندسی، مبدل های ولتاژ(چند برابر کننده های ولتاژ) جایگاه ویژه ای پیدا می کنند.ترانزیستورهای ماسفت دارای مزایا و ویژگی های جالبی هستند که امروزه مورد توجه قرار گرفته اند. یکی از ویژگی های جالب این نوع از ترانزیستورها جریان گیت صفر می باشد و امپدانس ورودی بالا. دیگرمزیت این نوع ترانزیستورها میزان مجتمع سازی بالا در حوزه مدارهای الکتریکی می باشد. در این مقاله سعی شده تا با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت، یک مدارپیشنهادی در زمینه مبدل ولتاژ(چند برابر کننده های ولتاژ) طراحی گردد.(طراحی با کمک تکنولوژی tsmc-0.18μm صورت پذیرفت).
Keywords:
Authors
اویس سلیمان احمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، گرایش طراحی مدارات مجتمع، دانشگاه صنعتی سجاد مشهد
الهه فروزان
دانشجوی کارشناسی مهندسی کامپیوتر، گرایش سخت افزار، دانشگاه صنعتی سجاد مشهد