مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه
Publish place: سومین کنگره بین المللی کامپیوتر، برق و مخابرات
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 596
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC03_038
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
Abstract:
با کاهش ابعاد فیزیکی ماسفت های نانولوله کربنی، جریان نشتی حالت خاموش آنها در ولتاژهایدرین-سورس بزرگ به علت تونلزنی مستقیم سورس-درین به طور قابل توجهی افزایش می یابد. اینمکانیسم باعث افزایش یک بار تودهای در ناحیه کانال شده و مانع میشود که گیت به طور کامل بهحالت خاموش تغییر حالت دهد. بنابراین کوچک کردن این افزاره به دلیل محدودیت های مربوط بهتوان مصرفی با مشکل مواجه می شود. در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنیجدید به منظور کاهش نوسانات زیر آستانه ارایه شده است. در افزارهی پیشنهادی در ناحیه درین ازیک پله با ناخالصی سبک استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در ساختار جدیدجریان حالت خاموش و مصرف توان کاهش مییابد و نوسانات زیر آستانه به مقدار قابل توجهیکاهش پیدا می کند. برای شبیه سازی این ساختارحل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر وروش تابع گرین غیرتعادلی به کار رفته و از نرمافزار MATLAB استفاده شده است.
Keywords:
Authors
سیده رقیه موسوی
کارشناس ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
علی نادری
استادیار،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :