بررسی حالت های تبهگن و ناتبهگن رسانایی در نانونوارهای گرافنی سه لایه
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 903
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DSCONF03_103
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
Abstract:
با استفاده از کاربرد گرافن در صنعت الکترونیک می توان به ترانزیستورهاى سریع و کوچکتر با مصرف انرژى کمتر و پراکندگى حرارتى بیشتر نسبت به ابزارهاى پایه سیلیکونى دست یافت. در این مقاله ابتدا یک مدل تحلیلی برای گرافن نانو ریبون سه لایه TGNR ارایه می شود . برای بیان رسانش در TGNR دیفرانسیل گیری نسبت به انرژی انجام می شود تا تعداد مدها در کانال عبور بدست آید. سپس، مقداررسانش برای ترانزیستورهای اثر میدانی یک بعدیD- TGNFET در حالت تبهگن و غیر تبهگن می تواند حاصل شود . همچنین رسانش به عنوان یک پارامتر پایه به فرم انتگرال های فرمی مشهور بررسی می شود که برای شناخت ویژگی های الکتریکی آن خیلی مفید است.
Keywords:
Authors
سید نورالله هدایت
گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
محمدتقی احمدی
گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
هادی گودرزی
گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
حسن صدقی
گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :