بررسی اثر طول کانال در ترانزیستور نانومتری

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 725

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IRCIVILC02_067

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397

Abstract:

طبق قانون مور هر دو سال تعداد ترانزیستورهای موجود در یک تراشه دو برابر می شود که باعث افزایش سرعت عملکردترانزیستورها می شود. ترانزیستورهای نانومتری دارای ابعاد کوچکی هستند و قدرت پردازش بالایی دارند. در اینترانزیستور طول کانال تاثیر قابل توجهی در عملکرد ترانزیستور دارد. در این تحقیق، کانال ترانزیستور از نانو لوله کربنیطراحی شده است و تاثیر طول کانال در عملکرد ترانزیستور نانومتری مورد بررسی قرار گرفته است.نتایج تحقیق نشان دادهاست که افزایش طول کانال باعث کاهش مساحت لوزی کولنی ترانزیستور و نیز ناحیه فاقد جریان می شود .بنابراین عملکردترانزیستور نانومتری را می توان با تنظیم طول کانال کنترل کرد.

Authors

زهرا صداقت کهریز

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

محمدتقی احمدی

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران- پژوهشکده نانو فناوری ، گروه فیزیک ، دانشگاه ارومیه، ارومیه،ایران- گروه الکترونیک ، پردیس دانشگاهی دانشگاه ارومیه ،ارومیه ، ایران

مهدی امنیت طلب

گروه نانو فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

وحیده خادم حسینی

گروه الکترونیک ، پردیس دانشگاهی دانشگاه ارومیه ،ارومیه ، ایران