شبیه سازی pHEMT با استفاده از مدل موازنه انرژی کوانتومی

Publish Year: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,258

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE12_136

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387

Abstract:

در ترانزیستورهای pHEMT عرض شکاف انرژی در فاصله کمتر از طول موج الکترون تغییر می کند . در شبیه سازی این ترانزیستورها لازم است اثر غیر محلی پتانسیل بر الکترون در نظر گرفته شود . در این مقاله با استفاده از مدل موازنه انرژی، یک ترانزیستور pHEMT شبیه سازی شده است . اثر غیر محلی پتانسیل، بصورت یک تصحیح کوانتو می در معادلات در نظر گرفته شده است . شبیه سازی، شیب منفی در مشخصه خروجی ترانزیستور را نشان می دهد که نتیجه انتقال در فضای حقیقی (RST) است. مدل موازنه انرژی بدون تصحیح کوانتومی، این پدیده را نشان نمی دهد.

Authors

سید ابراهیم حسینی

دانشکده برق و رباتیک، دانشگاه صنعتی شاهرود

رحیم فائز

دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • شبیه سازی ادوات نیمه هادی زیر میکرونی با استفاده از ...
  • Simlinger T., et. al., "Simulation of D oub 1 e ...
  • High Electron Mobility Transistors with MINIMO S-NT, " IEEE Trans. ...
  • Besikci C., Bakit A. T., "Dielectric Screening Effects on Electron ...
  • Yoon S.F., et.al., "Study of _ Gao. , P/Ino, Gao. ...
  • P seudomorphic High Electron Mobolity Transistor Using a Two- Dimensional ...
  • Lundstrom M., Fundamentals of Carrier Transport, Modular Series _ Solid ...
  • Tang T., Ieong M., _ Discritization of Flux Densities in ...
  • Hosseini S.E. and Faez R., "Quantum Hydro dynamic Equations with ...
  • Hosseini S.E. and Faez R., "Novel Quantum Hydro dynamic Equations ...
  • Chen Y-W., et.al., "High Breakdown Characteristic 6-Doped InG aP/In GaAs/AlGaAs ...
  • نمایش کامل مراجع