بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی
Publish place: National Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,200
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NAYRC01_082
Index date: 8 October 2008
بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی abstract
با استفاده از روش موج تخت تغییر یافته، ساختار نوار فوتونی در یک نانو بلور فوتونی پاشنده با شبکه مربعی محاسبه شده است. میله های پاشنده واقع در بلور را از جنس فلز و با سطح مقطع هگزاگونال انتخاب کرده ایم که در زمینه ای از هوا قرار گرفته اند. این نانو بلورها از خود گاف نوار فوتونی یا همان ناحیه ممنوعه بسامدی نشان می دهند. معمولا این گافها از لحاظ طیف نوری در ناحیه مادون قرمز قرار می گیرند. هدف ما در این مقاله بررسی موقعیت و پهنای این گافهای فوتونی و بدست آوردن گاف نوار بیشینه است. برای این منظور مقادیر مختلفی را برای بسامد پلاسمای مؤثر نانو بلور در نظر گرفته ایم. نتایج حاکی از اینست که تعداد و همچنین پهنای گافهای نوار با افزایش بسامد پلاسمای مؤثر، افزایش می یابد.
بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی Keywords:
نانو بلور فوتونی- روش موج تخت تغییر یافته-گاف نوار-ساختار نوار
بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی authors
علی اصغر صدقی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد شبستر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :