بهبود بهینهسازی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترا رسانایی مبتنی بر تکنولوژیCMOS جهت استفاده در مبدل ولتاژ به جریان
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 562
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_232
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
تقویتکننده هدایت انتقالی عنصر اساسی بسیاری از سیستمهای آنالوگ و مرکب(آنالوگ-دیجیتال) هستند. درواقع با استفاده از این تقویتکنندهها میتوان انواع فیلترها و اسیلاتورها با کاربردهای مختلف طراحی نمود. در این پایاننامه طرحهای مختلفی از تقویتکننده هدایت انتقالی ارایهشده است. مدارهایی که مدنظر قرارگرفتهاند، تقویتکننده هدایت انتقالی با تکنیکهای میلر کلاسیک، ترانزیستور ترکیبی تقویتشده و گین بوستینگ هستند. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که توان مصرفی مدار پیشنهادی که مبتنی بر سه تکنیک میلر، ترانزیستور ترکیبی تقویتشده و گین بوستینگ است، از سایر ساختارها کمتر بوده و همچنین از بهره بالایی برخوردار است. نتایج گزارششده در این پایاننامه بر اساس شبیهسازی صورت گرفته از طریق نرمافزار HSPICE میباشد. مدارات مختلف تقویتکننده هدایت انتقالی با استفاده از فن6اوری 18ʽm.0 CMOS با ولتاژ منبع 5V.0 طراحی شده است.نتایج بررسیها نشان داد که گین تقویتکننده ترا رسانایی پیشنهادی به میزان 7dB.8 و سویینگ ولتاژ خروجی به میزان 1v ،نسبت به تقویتکننده ترا رسانایی های دیگر پژوهشگران افزایشیافته است و همچنین مدار پیشنهادی علاوه بر سویینگ مطلوب ولتاژ خروجی باعث افزایش بهره شد.
Keywords:
Authors
راحله لشکری
گروه برق،دانشکده فنی و مهندسی، واحد سیرجان،دانشگاه آزاد اسلامی،تهران،ایران
مهران ابدالی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :