سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا

Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,392

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

CMC09_042

Index date: 26 December 2008

بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا abstract

در این مقاله با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، به بررسی تفاوت های برخی از خواص ترابردی الکترون در ساختار وورتسایت و زینک- بلند نیمرسانای GaN، از نیمرساناهای گروه III-V با گاف نواری مستقیم، که در قطعات با دما و فشار بالا مورد استفاده قرار می گیرد، می پردازیم. با استفاده از یک مدل سه دره ای، سرعت سوق به دست آمده برای الکترون ها در دمای اتاق در ساختار زینک- بلند ؟؟؟؟؟؟ در حد میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] و در ساختار وورتسایت [به متن مقاله مراجعه شود] در میدان الکتریکی آستانه [به متن مقاله مراجعه شود] آمده است.

بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا authors

زهرا اسلامی مقدم

گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

هادی عربشاهی

گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
فیزیک و کنولوژی قطعات نیمرسانا، اس.ام.زی، ترجمه غلامحسین سدیر عابدی، ...
Nakamara, s;" The blue Diod-GaN based hight emitters and lasers" ...
DL. Rode and AC.Beer:"Hal mobility in GaN Mateial" , phys.per. ...
gc. Crow and A Abram:"Monte carlo aimulation of GaN Material ...
C. Moglestue, Monte Carlo Simulation of semiconductor Device, 1993, Chapman ...
C.Jacoboni and P.Lugli, The Monte Carlo for semiconductor and Device ...
Carlo Method for Semiconductor and Monte؛، [6] C. Jacoboni, P. ...
J. D. Albrecht , R. P. Wang and P. P. ...
J.G.Ruch and W.Fawcett, J.Appl.Phys. 41(1970)3846 ...
S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. shul and ...
V. W. Chin, t. l. Ttansley, and T. Osotchn, J.Appl.Phys.75(1994)7356. ...
D. Chattopadhyay and H. J. Queisser, phys. Revi. Modem. 53, ...
I. H. Oguzman. Y. Wang, J. Kolnik, and K. F. ...
I. H. Oguzman, E. Bellotti, K. F. Brennan, J. Kolink, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا" توسط زهرا اسلامی مقدم، گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار؛ هادی عربشاهی، گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد نوشته شده و در سال 1387 پس از تایید کمیته علمی نهمین کنفرانس ماده چگال پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله هستند. این مقاله در تاریخ 6 دی 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2392 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، به بررسی تفاوت های برخی از خواص ترابردی الکترون در ساختار وورتسایت و زینک- بلند نیمرسانای GaN، از نیمرساناهای گروه III-V با گاف نواری مستقیم، که در قطعات با دما و فشار بالا مورد استفاده قرار می گیرد، می پردازیم. با استفاده از یک مدل سه دره ای، سرعت سوق ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تفاوت های خواص ترابردی الکترون در دو ساختار وورتسایت و زینک بلند در نیمرسانای GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدان های الکتریکی بالا با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.