بررسی زمان تونل زنی وابسته به اسپین در دیودهای تونل زنی تشدیدی مغناطیسی
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,031
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_157
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
Abstract:
در این مقاله براساس مفهوم سرعت گروه، زمان تونل زنی وابسته به اسپین الکترونها را در یک دیود تونل زنی تشدیدی مغناطیسی بررسی کرده ایم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی، زمان تونل زنی رفتار نوسانی از خود نشان می دهد. این رفتار نوسانی شدیداً وابسته به غلظت اتمهای مغناطیسی و اسپین الکترونهای فرودی بر لایه مغناطیسی است. نتایج بخوبی نشان می دهد که با تنظیم پارامترهای سیستم می توان سرعت پردازش اطلاعات و قطبش اسپین الکترونهای خروجی از سیستم را کنترل کرد.
Authors
رضا دقیق
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فیروزکوه
علیرضا صفارزاده
گروه فیزیک ، دانشگاه پیام نور تهران پژوهشکده علوم نانو ، پژوهشگاه دا