رشد الکترولس پالادیم روی سطح لایه های اکسید تنگستن گازوکرومیک
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,300
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_182
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
Abstract:
لایه های اکسید تنگستن از مهمترین ساختارهایی هستند که در حسگری گاز هیدروژن بکار می روند. در این مقاله لایه های اکسید تنگستن به روش لایه نشانی لیزر پالسی بر روی پایه های شیشه ای لایه نشانی شده و سپس ذرات پالادیم به روش الکترولس از محلول کلرید پالادیم بر روی سطح آنها رشد داده شده اند. ذرات پالادیم ا استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بر روی سطح مشاهده شدند و معلوم گردید ارتباط نزدیکی بین مورفولوژی سطح اکسید تنگستن زیرلایه و چگونگی رشد پالادیم وجود دارد. خاصیت رن گپذیری و زدائی گازی، یعنی تغییر رنگ لایه از شفاف به آبی در حضور گاز هیدروژن یا اکسیژن، نمونه ایجاد شده با لیزر پالسی بررسی شد و نتایج نشان داد که تغییرات زمانی رنگی شدن به صورت یک تابع نمایی از زمان ورود گاز است.
Authors
نعمت طهماسبی گراوند
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
مهدی رنجبر
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
سید محمد مهدوی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف و پژوهشکده نانو، دانشگاه صنعتی شری
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف و پژوهشکده نانو، دانشگاه صنعتی شری