بررسی اثر تغییرات شعاع و ارتفاع بر روی انرژی بستگی اکسایتون در نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN/AlxGa1-xN
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 4,457
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CMC09_183
Index date: 26 December 2008
بررسی اثر تغییرات شعاع و ارتفاع بر روی انرژی بستگی اکسایتون در نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN/AlxGa1-xN abstract
در این مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون در مدل پتانسیل متناهی برای نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN که توسط AlxGa1-xN احاطه شده، با استفاده از روش وردشی محاسبه شده است. سپس انرژی بستگی اکسایتون بر حسب تغییرات و ارتفاع نقطه کوانتومی بدست آورده شده است. نتایج نشان می دهند که با کاهش و ارتفاع کوانتومی انرژی بستی اکسایتون افزایش می یابد.
بررسی اثر تغییرات شعاع و ارتفاع بر روی انرژی بستگی اکسایتون در نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN/AlxGa1-xN authors