بلور فوتونیکی یک بعدی شامل مواد تک منفی با سه لایه در سلول واحد
Publish place: 15th Iranian Conference on Optics and Photonics
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,193
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_153
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
Abstract:
دراین مقاله ویژگی های گافهای باند دریک بلور فوتونیکی یک بعدی سه لایه ای سه لایه درهر تناوب شامل مواد اپسیلون - منفی . مو - منفی ومعممولی بررسی می شود نشان می دهیم که با افزایش ضخامت لایه معمولی هردولبه گاف فازصفرولیه بالایی گاف زاویه ای به بسامدهای پایین ترجابجا می شوند همچنین مطالعات ما نشان می دهد که لبه بالایی گاف زاویه ای با افزایش زاویه تابش به بسامدهای بالاتر انتقال می یابد درصورتی که درمورد گاف فاز صفر یکی از لبه ها مستقل اززاویه تابش است وجابجایی لبه دیگر آن با افزایش زاویه تابش به ضخامت لایه معمولی بستگی دارد .
Keywords:
Authors
عبدالرحمن نامدار
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
غفور خالندی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :