مطالعه ی اصول اولیه ی خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های ZnX(X=O, S, Se)
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 569
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCNNN01_050
Index date: 26 September 2017
مطالعه ی اصول اولیه ی خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های ZnX(X=O, S, Se) abstract
در پژوهش حاضر به بررسی و مطالعه خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های اکسید روی، سولفید روی و سلنید روی با استفاده از بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو پرداخته شده است. محاسبات براساس نظریه تابعی چگالی و نظریه تابعی چگالی اختلالی و تخمین انرژی تبادلی همبستگی انجام گرفته است. بررسی و تجزیه و تحلیل ساختار نواری و چگالی حاللت نانولایه- های اکسید روی، سولفید روی و سلیید روی نشان داد که همگی نیمه رسانای غیرمغیاطیسی با گاف نواری مستقیم هستید گاف نواری محاسبه شده برای نانولایه اکسید روی برابر 1/87 و سولنید روی برابر 2/66 و سلنید روی برابر 1/9 الکترون ولت بدست آمده است. همچیین نتایج مربوط به منحنی های پاشندگی فونونی و چگالی حالت فونونی محاسبه شده نشان داد که نانو لایه های اکسید روی و سولفید روی و سلنید روی به ترتیب دارای گاف فونونی با مقادیر 245/3 و 156/88 و 70/53 بر سانتی متر هستید. نمودار ظرفیت گرمایی هر سه ساختار در دماهای مختلف با تقریب هارمونیک رسم گردید که نشان داد ظرفیت گرمایی ویژه با افزایش جرم اتمی کاهش مییابد بنابراین اتم سبک تر گرمای ویژه بیشتری به خود اختصاص می دهد.
مطالعه ی اصول اولیه ی خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های ZnX(X=O, S, Se) Keywords:
نظریه تابعی چگالی , نظریه تابعی چگالی اختلالی , نانولایه , طیف فونونی , ظرفیت گرمایی , خواص الکترونی وساختاری
مطالعه ی اصول اولیه ی خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های ZnX(X=O, S, Se) authors
حسنخانی فرزانه
آزمایشگاه فیزیک محاسباتی، گروه فیزیک دانشکده علوم، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قم، قم، ایران
حسن تشکری
آزمایشگاه فیزیک محاسباتی، گروه فیزیک دانشکده علوم، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قم، قم، ایران