مقایسه ی تاثیر لایه های انباشت اکسید ITO و ZnO به عنوان بافر، در افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS
Publish place: کنفرانس ملی پژوهش های نوین در برق، کامپیوتر و مهندسی پزشکی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 526
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KAUCEE01_139
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
Abstract:
برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی معمولا به آن لایه بافر اضافه می کنند. تغییر در جنس و ساختار لایه ی بافر می تواند موجب تغییرات اساسی در راندمان و همچنین سادگی یا پیچیدگی فرآیند ساخت و هزینه های آن باشد. جایگزینی لایه ی اکسید انباشته ی ZnO به عنوان بافر، به جای روش معمول، یعنی استفاده از لایه ی ITO (ایندیوم قلع اکسید، - Indium-Tin Oxide ، با فرمول شیمیایی In2O5Sn ) از جنبه های نو این پژوهش می باشد. با پیاده سازی سلول خورشیدی در نرم افزار کامسول و لحاظ معادلات ماکسول با پهنای نمونه ی، این سلول در مجاورت لایه ی بافر SnO2 به خروجی ولتاژی به میزان حدودا 47 / 0 ولت منتهی شد که در مقایسه با خروجی ولتاژ 44 / 0 ولت به ازای بهره گیری از لایه ی بافر ITO ، افزایش راندمان حدودا 15 % بدست آمد. همچنین این نتیجه حاصل گردید که با توجه به اینکه ITO از مشهورترین اکسید رسانای شفاف هست ولی دارای مقاومت پایین دردمای اتاق می باشد، اما در دمای بالا مقاومت آن افزایش می یابد. لذا برای رفع این مشکل و بهبود شرایط خروجی، از اکسید روی، ZnO استفاده شده است که مقاومت مذکور را تا 50 درصد کاهش می دهد.
Keywords:
Authors
مهدی کردی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
حسین سرآبادانی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
شعبان رضایی برجلو
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان