تحلیل مدل ماسفت برای کاربردهایBULK-DRIVE نانومتری
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 452
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECCONF02_041
Index date: 21 October 2017
تحلیل مدل ماسفت برای کاربردهایBULK-DRIVE نانومتری abstract
تکنیک DRIVEN-BULKماسفت (راه انداز ی ماسفت از طریق پایه بالک) با الزامات ولتاژ پایین و توان پایین درخواست شده در طراحی مدار آنالوگ پیشرفته مواجه می شود.به سبب تکنولوژ ی های نانومتری /زیر میکرونی و تاثیرات کانال کوتاه بحران ی ،انتخاب یک مدل ماسفت مناسب برای طراح ی مدار بس یار مهم به نظر میرسد.اگرچه ،مدلهای ماسفت متعارف بطور معمول توسط کاربردهای DRIVEN-GATE) راه اندازی از طریق پای ه گی ت) عادی راه انداز ی میشوند ، قادر نیستند بطور صحیح و درست برا یکاربردهای DRIVEN-BULK در تکنولوژی های پیشرفته کار انجام دهند.در این مقاله، سه تا از پرکاربردترین مدلهای ماسفت که در بسیاری از موارد شامل EKV, BSIM ,و PSPبرای تکنولوژی های پیشرفته و در شبیه سازی کاریردها ی DRIVEN-BULKاستفاده شده را استخراج کرده ایم. اندازه گ ی ری اطلاعات دستگاه های ساخته شده با نتا یج شب یه ساز ی مدلها ی مشخص مقا یسه میشوند.برخی از پارامترهای ماسفت بحرانی برای مقایسه و تجزی ه و تحلیل ویژگیهای ماسفت انتخاب شده اند.نتا یج تجرب ی مزای ایتکنیک DRIVEN-BULK) راه اندازی از طریق پای ه بالک) را در مقایسه با روش DRIVEN-GATE) راه اندازی از طری ق پای هگیت) نشان میدهد.در نهای ت، عملکرد مدلها ی مختلفماسفت در فراهم آوردن طراحی های مدار آنالوگ با دستورات عملی و کاربردی خلاصه میشود.
تحلیل مدل ماسفت برای کاربردهایBULK-DRIVE نانومتری Keywords:
تحلیل مدل ماسفت برای کاربردهایBULK-DRIVE نانومتری authors
مظفرالدین فردوسیان طهرانی
گروه برق، واحد سروستان، دانشگاه آزاد اسلامی، سروستان، ایران