جذب مولکول های آلی بر روی صفحات گرافنی حاوی نقص های جای خالی دوتایی 5-8-5 و استون-ولز 55-77 کاربرد در سنسورهای گازی برپایه گرافن
Publish place: 8th National Seminar of Chemistry and Environment of Iran
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 498
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSCEI08_108
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396
Abstract:
در این مطالعه، جذب شش مولکول الکترون دهنده/گیرنده آلی شامل TNF, TTF, TCNE, TCNQF4-TCNQ, DMPD بر روی اندازه های متفاوت صفحات گرافنی حاوی دو تا از نقص های معمول، نقص های جای خالی دوتایی 5-8-5 و استون ولز 55-77 با استفاده از روش تابعیت از چگالی M06-2X/cc-pVDZ بررسی می شود. نتایج ما نشان می دهد که مقادیر انرژی پیوندی ΔEb برای جذب مولکول ها بر روی سطح SW-GNF به مراتب بیشتر از سطحDV-GNF می باشند. علاوه بر این مقادیر انرژی پیوندی با افزایش اندازه صفحات گرافنی حاوی نقص حدودا 10 % افزایش می یابد. ماهیت برهمکنش های ضعیف این مولکول ها با استفاده از روش های QTAIM گراف های NCI و آنالیز NBO بررسی می شود. نتایج مانشان می دهد که شکاف انرژی Eg HOMO-LUMO این صفحات با جذب مولکول ها کاهش می یابد. با این حال، با افزایش اندازه این صفحات Eg و سختی شیمیاییη تمام کمپلکس ها کاهش می یابد و شاخص الکتروفیلی ω افزایش می یابد. علاوه بر این مقادیر پتانسیل شیمیایی μ کمپلکس های مولکول های الکترون گیرنده با افزایش اندازه صفحات کاهش می یابد در حالیکه این مقادیر برای کمپلکسهای مولکولهای الکترون دهنده افزایش می یابد
Keywords:
نقص جای خالی دوتایی 5-8-5 - نقص استون-ولز 55-77 - گرافن , مولکولهای الکترون دهنده/گیرنده آلی , برهمکنشهای غیرکووالانسی
Authors
مهدی شکوریان فرد
گروه مهندسی شیمی، دانشگاه صنعتی بیرجند، بیرجند
مونس هنرمند
کاربرد در سنسورهای گازی برپایه گرافن
احمد بیات
کاربرد در سنسورهای گازی برپایه گرافن