شبیه سازی سه بعدی شبکه لتیس بولتزمن برای انتقال حرارت جا به جایی در حضور میدان مغناطیسی

دراین مقاله به بررسی دینامیک جریان و انتقال حرارت جابه جایی برای نانوسیال Al〗_2 O_3/H_2 O(L) دریک حفره مکعبی و در حضور میدان مغناطیسی می پردازیم . این مدل با مدل های شبیه سازی شده پیشین و مدل تجربی اعتبار سنجی شده است .سپس اثرات عدد رایلی، کسر حجمی نانو ذره، عدد هارتمن و عدد ریچاردسون بر روی دینامیک جریان نانو سیال وانتقال حرارت بررسی شده است . بررسی ها نشان داد که در اعداد رایلی پایین با اضافه کردن نانو ذره به آب ، انتقال حرارت افزایش پیدا می کند .هرچند ممکن است این مقدار افزایش ناچیز باشد و یاحتی این امر در اعدادرایلی بالا برعکس باشد .به علاوه نتایج نشان می دهد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی، کاهش تاثیرانتقال حرارت جابه جایی درحفره رابه دنبال دارد.به علاوه نتایج حاکی از تاثیر قابل ملاحظه عدد ریچاردسون در انتقال حرارت جابه جایی مختلط بر روی خطوط جریان و میدان دما می باشد .

Keywords:

لتیس بولتزمن , جابه جایی , انتقال حرارت , نانوسیال , میدان مغناطیسی