سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS

Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,195

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NANOSC05_153

Index date: 12 March 2009

مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS abstract

ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می باشند.

مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS authors

فاطمه کهنی خشکبیجاری

کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج

مرتضی فتحی پور

استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
] K.Ikeda, Y .Yamashita, A.Endoh, T.Fukano, K.Hikosava and T.Mimura;، 050nm ...
Y. C. Yeo, V. S ubramanian, J. Kedzierski, P. Xuan, ...
Y. C. Yeo, V. S ubramanian, J. Kedzierski, P. Xuan, ...
DESSIS 7 from ISE TCAD user manual: Device Simulation Software. ...
Douglas J. Paul, Si/SiGe hetero structures : From material and ...
M. Jang, Y. Kim, J. Shin, S. Lee, K. Park, ...
J. Kedzierski, P. Xuan, V. S ubramanian, J. Bokor, T. ...
Christopher W.Leitz, *High Mobility Strained Si/SiGe H etero structure MOSFETs ...
S. Xiong, T. J. King, J. Bokor, "A Comparison Study ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS" توسط فاطمه کهنی خشکبیجاری، کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج؛ مرتضی فتحی پور، استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو نوشته شده و در سال 1388 پس از تایید کمیته علمی پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله هستند. این مقاله در تاریخ 22 اسفند 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1195 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می ... . برای دانلود فایل کامل مقاله مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.