مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS
Publish place: 5th Nanotechnology Students Conference
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,164
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_153
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
Abstract:
ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می باشند.
Authors
فاطمه کهنی خشکبیجاری
کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج
مرتضی فتحی پور
استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :