بررسی تغییر در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییرقطر و طول کانال، و چگالی ناخالصی
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,788
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_220
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی جایگزینی نویدبخش برای ترانزیستورهای سیلیکونی درتکنولوژی آینده ادوات الکترونیکی هستند. در این مقاله اثر تغییرات چگالی ناخالصی سورس/ درین و طول گیت بر تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (فرمول در متن اصلی مقاله) برای یکترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محورکه کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی و با نمایش ساختار باند انرژی و تابع توزیع الکترون اثر این تغییرات توجیه می گردد. اگر (فرمول در متن اصلی مقاله) و n از 10 تا 17 در نظر گرفته شود، با افزایش a افزایش قطر نانو لوله کربنی) در هر سطحی از ناخالصی و در هر طول کانالی ، نسبت جریان روشن به خاموش کاهش و برای مقادیر ثابت a با افزایش b به طور محدود افزایش می یابد a عددی طبیعی و b برابر 1 یا 2 است. از طرفی افزایش چگالی ناخالصی در سورس/ درین و نیز کاهش طول گیت در یک n مشخص، باعث کاهش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش می شود
Keywords:
Authors
شاهین قربانی زاده شیرازی
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
ستار میرزا کوچکی
دانشگاه علم و صنعت ایران، پژوهشکده الکترونیک
علی کاظم پور
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :