بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی حلقوی به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 350
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_158
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
در این مقاله ساختار حلقوی کریستال فوتونی برای تقویت رامان بررسی میشود. سپس به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی در حفرههای 2 سوی مسیر عبور سیگنال، میزان سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش مییابد که سبب افزایش بهره رامان میشود. برای دستیابی به بهره رامان بزرگتر، از ساختار 2 حلقه کمک میگیریم و نرخ ارسال بیت را در تمامی-ساختارها، بررسی میکنیم. در این ساختارها، معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل میشوند. در این مقاله، از ساختاری با طول 100μm، بهره رامان 19/01 dB و نرخ بیت 0/6493 ×1012 pulse/sec حاصل شده است.
Keywords:
Authors
امیره سیدفرجی
دانشیار گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران