طراحی و آنالیز تقویت کننده های کم نویز با توان مصرفی پایین و قابلیت خطی بالا در تکنولوژی CMOS

این مقاله درباره طراحی LNA در فرکانس 2.4 GHz در دمای اتاق با حداقل بهره 18db در سیستم اندازه گیری 50 ohm می باشد. تحقیقاتی در زمینه ی خواص ترانزیستور ها در زمینه ی موارد استفاده آن ها برای تقویت کننده کم نویز بر مبنای نویز فیگر صورت گرفت که نشان داد ترانزیستور های دو قطبی سیلیکونی عدد نویز پایینی ارایه نمی دهند FET های هترو استراکچرسیلیکونی و ژرمانیمی نیز عدد نویز پایینی به دست نمی دهند .اما نوع گالیم آرسناید آن به نظر انتخاب مناسبی می باشد [3] و همچنین از mosfet با کمی تامل در طراحی مدار می توان نتایج خوبی بدست آورد که در این مقاله از آخرین مورد استفاده کردیم. در طراحی یک تقویت کننده کم نویز مهمترین پارامتر هایی که وجود دارند نویز کم ، بهره بالا ، قابلیت خطی بالا ، توان مصرفی پایین و تطبیق ورودی می باشد ازین رو در این مقاله با استفاد از تکنولوژی cmos و بهره را بهبود دهیم و به اعدادی دست یابیم که نشان میدهد تقویت کننده به نحوه ی خوبی کار می کند.[1],[2]

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , ADS , CMOS