شبیه سازی دیود نورافشان آلی ITO/MEH-PPV/Ca و بررسی تاثیر ضخامت لایه ی پلیمری برروی خواص الکتریکی آن
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,321
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_130
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
دراین مقاله دیود نورافشان آلی با ساختار ITO/MEH-PPV/Ca برای سه آرایش با ضخامت های مختلف پلیمری مورد بررسی قرار گرفته است. در شبیه سازی انجام شده ضخامت لایه های آند و کاتد ثابت فرض شده و تاثیر ضخامت لایه ی پلیمری برروی خواص الکتریکی دیود، مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به نمودارهای چگالی جریان و جریان آند هر سه ساختار، مشخص می شود که بیشینه جریان به دست آمده برای ساختار به ضخامت پلیمری 37 نانومتر و کمترین جریان برای ساختار به ضخامت پلیمری 57 نانومتر حاصل شده است ملاحظه می گردد که برای این سه ساختار، با تغییر ضخامت لایه ی پلیمری، تغییر محسوسی در چگتالی جریان دیده نشد.
Keywords:
Authors
سیدوحید طباطبایی
دانشگاه اصفهان، گروه فیزیک، آزمایشگاه لایه نشانی
حمیدرضا فلاح
دانشگاه اصفهان، گروه فیزیک، آزمایشگاه لایه نشانی
مهدی زادسر
دانشگاه اصفهان، گروه فیزیک، آزمایشگاه لایه نشانی
محمدجواد وحید
دانشگاه اصفهان، گروه فیزیک، آزمایشگاه لایه نشانی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :