بهینه سازی ساختار چهارلایه glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO2 برای بکارگیری در حافظه های مغناطیسی
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,036
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_296
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
دراین مقاله اثر نیمه رسانای شفاف SnO2 به عنوان لایه پوششی و میانی در ساختار glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO2 با استفاده از یک روش ماتریسی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان دادند که با طراحی مناسب میتوان به چرخش کر حدود درجه، ضریب کیفیت بالا و بیضیگونگی صفر دست پیدا کرد. بهینهسازی این ساختار از دیدگاه صنایع ذخیرهسازی نوری مورد توجه است. با استفاده از شبیهسازی عددی نشان دادیم که در شرایط بهینه پارامترهای مربوط به بازخوانی اطلاعات نسبت به پارامترهای طراحی رفتار نرمی دارند که از نقطه نظر مشکلات معمول در فرایند ساخت قطعه مطلوب است.
Keywords:
Authors
مجید قناعت شعار
تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مهرداد مرادی کاونانی
تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :