سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما

Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 760

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

PLASMA04_082

Index date: 1 June 2018

بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما abstract

لایه های نازک کربنی تحت شرایط مختلف لایه نشانی خصوصیات متفاوتی پیدا می کنند. ساختار و ترکیبات شیمیایی لایه با تغییر پارامترهای لایه نشانی از جمله توان اعمالی، نوع گاز و نوع زیر لایه قابل تغییر می باشد. در این مقاله لایه نازک کربنی روی زیرلایه سیلیکون و اکسید سیلیسیوم به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما، در توان های مختلف، با گاز متان لایه نشانی شده است. در انتها پلاسمای تولید شده توسط روش طیف سنجی گسیلی نوری بررسی شده است. ضخامت فیلم ها با روش بیضی سنجی اندازگیری شده است و برای بررسی ساختار و مقاومت الکتریکی لایه ها از طیف سنجی رامان و جستجوگر چهار نقطه ای استفاده شده است.

بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما Keywords:

طیف سنجی گسیل نوری , بیضی سنجی , طیف سنجی رامان , جستجوگر چهار نقطه ای , لایه نشانی بخار شیمیایی پلاسما , لایه نازک کربن

بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما authors

نسیبه صابری پیروز

پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی

سیدایمان حسینی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود

نیما ارجمندی

پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی

بابک شکری

پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی دانشکده فیزیک دانشگاه شهیدبهشتی

مقاله فارسی "بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما" توسط نسیبه صابری پیروز، پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی؛ سیدایمان حسینی، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود؛ نیما ارجمندی، پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی؛ بابک شکری، پژوهشکده لیزر پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی دانشکده فیزیک دانشگاه شهیدبهشتی نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی چهارمین کنفرانس مهندسی و فیزیک پلاسما پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله طیف سنجی گسیل نوری، بیضی سنجی، طیف سنجی رامان، جستجوگر چهار نقطه ای، لایه نشانی بخار شیمیایی پلاسما، لایه نازک کربن هستند. این مقاله در تاریخ 11 خرداد 1397 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 760 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که لایه های نازک کربنی تحت شرایط مختلف لایه نشانی خصوصیات متفاوتی پیدا می کنند. ساختار و ترکیبات شیمیایی لایه با تغییر پارامترهای لایه نشانی از جمله توان اعمالی، نوع گاز و نوع زیر لایه قابل تغییر می باشد. در این مقاله لایه نازک کربنی روی زیرلایه سیلیکون و اکسید سیلیسیوم به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما، در توان های ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.