تاثیر تابکاری بر روی لایو نازک اکسید تنگستن بو منظور کاربرد در سیستم آینوی گرمایی

سیستم سه لایه ی دی الکتریک/فلز/دی الکتریک لایه نشانی شده بر روی شیشه، میتواند به عنوان یک فیلتر اپتیکی که طیف مادون قرمز امواج الکترومغناطیس را بازتاب و به بیشتر امواج مریی اجازه ی عبور میدهد به کار رود. دراین تحقیق از اکسیدتنگستن به عنوان دیالکتریک و از نقره برای پوشش فلزی بازتاب دهنده استفاده شد. لایه ی نازک اکسید تنگستن با استفاده از تکنیک تبخیر با پرتو الکترونی لایه نشانی شد. اثر دما و مدت تابکاری بر روی ساختار و خواص اپتیکی لایه ها بررسی شد. تابکاری در خلا و در دماهای مختلف انجام شد. مورفولوژی سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفت که نشان داد که اندازه ی مولکولها وابسته به دمای تابکاری میباشد.