تقویت کننده امپدانس انتقالیICDF با فیدبک اضافی

سیستمهای مخابرات نوری به خاطر وجود مزایایی ازجمله سرعت انتقال بالا و پهنای باند زیاد، برای ارسال داده هایی با حجم زیاد مورداستفاده میباشند. یک سیستم مخابرات نوری از فرستنده، فیبر نوری و گیرنده تشکیل شده است. در این مقاله ساختار یک تقویت کننده امپدانسی انتقالی گیرنده نوری برای یک سیستم مخابرات نوری با استفاده از ترانزیستور CMOS، با طول کانال 40 نانومتر طراحی و نتایج آن موردبحث و بررسی قرارگرفته است. برای طراحی مدار پیشنهادی ابتدا دو ساختار RGC و ICDF تقویت کننده امپدانسی در نظر گرفته شده است. در ساختار RGC برای اینکه پهنای باند را کنترل نماییم از تکنیک فیدبک منفی استفاده نمودیم. تکنیک فیدبک منفی میتواند علاوه بر کنترل پهنای باند مقاومت ورودی تقویت کننده را کاهش دهد. در ساختار ICDF در نظر گرفته شده ترانزیستور PMOS پوش پول مورد استفاده در مدار در ناحیه اهمی بایاس شده است بنابراین در مدار پیشنهادی از نوع ICDF برای اینکه ترانزیستور مورد نظر در ناحیه اشباع بایاس شود به ترمینال گیت آن ولتاژ DC اعمال شده که با این کار ترانزیستور موردنظ ر به اشباع رفته و به کمک تکنیک کسکود بهره مدار افزایش یافته است. نتایج بررسیها نشان می دهد که بهره تقویت کننده امپدانسی پیشنهادی به میزان 35.3dBΩ، پهنای باند 11.5GHz و توان مصرفی4.19mw میباشد. شبیهسازیهای مداری با استفاده از نرم افزار HSPICEصورت گرفته است.