بررسی اثر نقص استوى ولز و تهی جای در ساختارنواری نانولوله های کربنی

در این مقاله ساختار نواری نانولوله های کربنی آرمچیز و زیگزاک با دو نقص استون- ولز و تهی جای با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی های الکترونی نانولوله های کربنی در حضور این نقص ها محاسبه شده است و نمودار ساختار نواری نشان میدهد که نقص استون- ولز در نانولوله های کربینی رسانا باعث شیفت نقطه ی دیراک در فضای بردار موج در انرژی فرمی می شود و گاف نواری در ناانولوله هیا کربنی نیمه رسانا را اندکی کاهش می دهد. در حالیکه حضور تهی جای در نانولوله های رسانا منجر به محو شدن نقاط دیراک در انرژی فرمی می گردد. با افزایش غلظت تهی جای در نانولوله هیا تیمرسانا، گاف نواری به شدت کاهش می یابد.

Keywords:

ساختار نواری , نانولوله های کربنی , تهی جای , استون ولز , گاف نواری