یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین
Publish place: 1st National Conference on Micro/Nanoscale Technologies
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 582
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
MNTECH01_051
Index date: 14 December 2018
یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین abstract
در این مقاله، طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی کانال n نوع تخلیه ای در دمای محیط 300k گزارش می شود . این ترانزیستور مبتنی بر تکنولوژی NEMS بوده و کاملا با فرآیندهای ساخت CMOS سازگار میباشد. ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی NEMFET از ترکیب رله NEM و ترانزیستور MOSFET ساخته شده و دارای یک گیت متحرک و یک بخش نیمه هادی میباشد که مسیر جریان همیشه در بخش نیمه هادی است. گیت متحرک نانومکانیکی به صورت یک باریکه دو سر درگیر BOSS دار توسط نرم افزار COMSOL Multiphysics و بخش الکتریکی توسط نرم افزار SILVACO طراحی و شبیه سازی شده است. ترانزیستور NEMFET طراحی شده دارای طول گیت برابر با 25 nm پهنای 100 nm و ضخامت 5.2nm میباشد. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که در این طراحی بهینه شده، با مقایسه نتایج بهدست آمده با یک MOSFET معمولی با ابعاد مشابه، سویینگ زیر آستانه به مقدار 52 mV/dec کاهش یافته و نسبت جریان حالت روشن به خاموش ( ) به مقدار 9 10*2/65 افزایش می یابد
یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین Keywords:
یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین authors
نسترن جعفری
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی(ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی،تهران، ایران
فرشاد بابازاده
استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
زهرا آهنگری
استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران