اثر حضور نقاط کوانتومی یگانه و دوگانه بر ترابرد فرمیون های غیربرهمکنشی در دیودهای تونل زنی تشدیدی

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمتهای مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تکذرهای الکترونها و حفره ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالتها و چگالی جریان را به دست آورده ایم. نتایج نشاندهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان میدهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این میشود که چگالی محلی حالتها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث میشود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده تونلزنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها میتوان در محاسبه جریان تاریک سلولهای خورشیدی استفاده نمود.

Keywords:

دیود تونل زنی تشدیدی , تابع گرین , نقطه کوانتومی , ترابرد , چگالی حالتهای موضعی