تقویت کننده عملیاتی با بهره بالا مناسب برای طبقه اول مبدل آنالوگ به دیجیتال خط لوله ای 12 بیتی با فرکانس نمونه برداری 200MS/s

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده تفاضلی سرعت بالا و گین کافی برای طبقه اول مبدل آنالوگ به دیجیتال خطلولهای با رزولوشن 12 بیت و فرکانس 200Ms/s با طبقات درونی 4-2/5-2/5-2/5-2/5 بیتی ارایه می شود. هسته اصلی این تقویت کننده، ساختار کسکود تاشده با ورودی های تفاضلی NMOS می باشد. برای افزایش بهره هسته اصلی تقویت کننده از تکنیک گین بوستینگ استفاده شده است. این تقویت کننده در تکنولوژی 0/18μm CMOS طراحی و شبیه سازی شده و دارای بهره 81/38dB، پهنای باند بهره واحد 1/69GHz و حاشیه فاز 48/7 درجه می باشد. در این تقویت کننده محدوده مد مشترک ورودی بین 0/7V تا 1/75V، مقدار سویینگ قله به قله خروجی برابر با 874/5mV و توان مصرفی آن در ولتاژ تغذیه 19/97mW, 1/8V می باشد.

Keywords:

بوستینگ , تقویت کننده عملیاتی , کسکدتاشده , مبدل آنالوگ به دیجیتال خط لوله ای