بررسی تعدیلات نانو ساختاری و مشخصه های سطح ورقه تیتانیوم کاشت شده با یونهای ازت
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,232
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC87_063
Index date: 15 December 2009
بررسی تعدیلات نانو ساختاری و مشخصه های سطح ورقه تیتانیوم کاشت شده با یونهای ازت abstract
تعدیلات نانوساختاری نمونه های ورقه نازک تیتانیوم (50µm) کاشت شده با یونهای ازت با استفاده از آنالیزهای AFM ، XRD و SIMS مطالعه شده است. یونهای ازت با E=25 keV و شار (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) در مدت 1600s و در دماهای متفاوت در نمونه های ورقه Ti کاشت شد. الگوهای XRD روند پیشروی نیتریدهای تیتانیوم را در موقعیتهای متفاوت در نمونه نشان می دهد. تصاویر AFM تغییرات واضحی را در ساختار دانه های ریز سطح ورقه تیتانیوم با افزایش دما نشان می دهد. چگالی و عمق نفوذ یونهای ازت کاشت شده در ورقه تیتانیوم با استفاده از آنالیز SIMS بدست آمد که مقدار بیشینه ای را در دمای مشخص در نمودار چگالی و همچنین نمودار عمق نفوذ نشان دهد که با نتایج XRD سازگار است. این پدیده را می توان بر اساس گاز باقیمانده، دمای زیر لایه، تجزیه آب موجود در محفظه خلأ و خاصیت گیراندازی تیتانیوم شده توجیه کرد.
بررسی تعدیلات نانو ساختاری و مشخصه های سطح ورقه تیتانیوم کاشت شده با یونهای ازت authors
معصومه فیروزی آرانی
دانشکده فیزیک پلاسما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
هادی سوالونی
دانشکده فیزیک پلاسما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، تهرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :