مطالعه خواص مغناطیسی نانو ساختارهای آهن رشد یافته بر روی Si(111) , Si(100)

در این مقاله خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن بر روی زیر لایه هایی از جنس سیلیکون ( 100 ) و ( 111 ) به کمک تکنیکهای میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) مغناطش سنجی گرادیان نیروی متناوب (AGFM) مورد مطالعه قرار گرفته است. با استفاده از نقش حوزه های مغناطیسی در تصاویر MFM منحنیهای پسماند مغناطیسی حاصل از تکنیک AGFM، خواص فرومغناطیسی نمونه ها، گزارش شده است. درچند تصویر، نواحی تاریک و روشن مطابق با حوزه های مغناطیسی مربوط به اسپین های هم جهت، به سمت پایین و بالا نمایش داده شده، بطوریکه محدوده ای بین 4-2 میکرومتر را برای پهنای حوزه ها در لایه های آهن با ضخامت 100 نانومتر می توان تخمین زد. همچنین از روی منحنی های پسماند، میدان وادارنده ای به میزانOe 100 برای نمونه ها بدست آمده و در مورد ناهمسانگردی با توجه به کاهش مغناطش آهن بواسطه نفوذ به داخل زیر لایه، بحث شده است.