بررسی خواص ترابرد InP با استفاده از روش مونت کارلو در میدان الکتریکی بالا
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 887
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_249
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
در این مقاله بستگی دمایی و میدان الکتریکی ترابرد الکترونها در نیمرسانا InP به روش شبیه سازی مونت کارلو بررسی شده ، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونونها و ناخالصی های یونیزه نیز در نظر گرفته شده است. با استفاده از یک مدل سه دره ای ، سرعت سوق بدست آمده برای الکترونها در InP در دمای اتاق (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) در میدان آستانه (فرمول در متن اصلی) می باشد. چنین سرعت سوق بالایی InP را کاندیدای خوبی جهت طراحی قطعات الکترونی در دما و توان های بالا معرفی می کند.
Authors
زهرا اسلامی مقدم
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :