بررسی پدﻳﺪه تشدﻳﺪدرترابرد بارو وابستگی مقاومت مغناطﻴﺴﻲ تونل زنی به ولتاژدر ساختاری متشکل از سد سه گانه

در این تحقیق، یک ساختار سه گانه سد به شکل MOMOMOM که M نشان دهنده لایه فرو مغناطیسی و O بیانگرسد عایق می باشد، مورد بررسی قرار گرفته و وابستگی هر یک از کمیت های رسانش و مقاومت مغناطیسی تونل زنی به ولتاژ اعمال شده میان لایه هاو همچنین به پهنای هر یک از لایه های فرو مغناطیسی بر اساس تئوری کوبو مورد بررسی قرار گرفته است و نشان داده شده است که در مقادیر خاصی از ولتاژ،رزنانس هایی در ترابرد بار رخ می دهد که با تغییر ضخامت لایه فرو مغناطیسی، محل های وقوع رزنانس تغییر می کنند. همچنین نشان داده شده است که اگر جهت گیری نسبی بردارهای مغناطش در لایه های متوالی بااستفاده از میدان مغناطیسی خارجی از حالت موازی به حالت پاد موازی تغییر کند مقاومت مغناطیسی بزرگی را خواهیم داشت که ناشی ازپدیده تشدید در چاه های کوانتومی مجاورمی باشد. به علاوه مقدار مقاومت مغناطیسی تونل زنی ساختار مزبور، با یک ساختار یگانه سد، موردمقایسه قرارگرفته است.