مطالعه مدهای نقص در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از روش تحلیلی
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 860
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_303
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
در این مقاله، اثر نقص مربوط به مواد راستگرد و چپگرد در بلور فوتونیکی یک بعدی با بهره گیری از روش تحلیلی مبتنی بر ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته شده است. نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده حاصله از مواد راستگرد دارای پاشندگی مثبت بوده و درحالیکه در مواد چپگرد این پاشندگی می تواند منفی ویا تقریباً صفر باشد. در این کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک گزارش شده است .
Authors
بایرام کاظم پور
پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی دانشگاه تبریز
علی سلطانی والا،
پژوهشکده فیزیک کاربردی وستاره شناسی دانشگاه تبریز