کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCKدرمدارات VLSI
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 365
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SASTECH10_001
تاریخ نمایه سازی: 29 اردیبهشت 1398
Abstract:
با ورود چرخه ساخت تراشه های مدارمجتمع به دوره طراحی زیرمیکرون، تاثیر اثرات الکتریکی نظیر نویز هم شنوایی و مهاجرت الکترون در کارایی سیستم های الکتریکی بسیار زیاد شده است. نویز هم شنوایی به عنوان یکی از مهمترین مسایل در طراحی های 0/18میکرون یا پایین تر از آن به شمار رفته و می تواند باعث تغییردر تاخیر سیگنال ها و مقدار منطقی یک سیگنال شده و به سوء عملکرد مدار منجرگردد. دراین مقاله به معرفی برخی از راه های کاهش هم شنوایی در شبکه های RLCK در مدارات VLSI پرداخته و در ادامه براساس شبیه سازی مدار RLCK و استفاده از ترانزیستور ماسفت بین دو اتصال با استفاده از HSPICE نشان دهیم که هم شنوایی کاهش می یابد که در نهایت موجب افزایش کیفیت عملکرد مدار می گردد.
Keywords:
Authors
الهه شعله ور شکوه
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت دکتری، دانشگاه شهید باهنرکرمان