تنظیم دمای گاف نوار نوری در بلورهای فوتونیکی دو بعدی متشکل از مواد نیمرسانا
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 903
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_184
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این مقاله تنظیم پذیری گاف نواری در بلورهای فوتونی دوبعدی، که در آن حفره های هوا در زمینه ی نیمرسانا ایجاد شده است، در اثر تغییرات دمایی با استفاده از شکل مناسب روش بسط موج تخت، مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج محاسبات عددی نشان می دهند که پهنا و موقعیت نوار ممنوعهی فرکانسی هر دو قطبش الکتریکی و مغناطیسی، به طور قابل ملاحظه ای با دما تغییر می کند.
Authors
ناصر حسینی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
علی سلطانی والا
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، پژوهشکده فیزیک کاربردی و تحقیقات ستاره
منوچهر کلافی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، پژوهشکده فیزیک کاربردی و تحقیقات ستاره