رشد لایه های نازک سولفید روی و بررسی خواص اپتیکی آن به روش سان پل
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,144
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC88_323
Index date: 18 January 2010
رشد لایه های نازک سولفید روی و بررسی خواص اپتیکی آن به روش سان پل abstract
لایه های نازک سولفید روی با ضخامت های مختلف ( 500 و 800 و 1100 نانو متر) روی زیر لایه شیشه معمولی در دمای اتاق به روش تخیر حرارتی در خلاء تهیه گردید. آنالیزاپتیکی لایه های نازک به روش سان پل حاکی از آن است که با کاهش ضخامت، درصد عبور در طول موج های بین 800-350 نانومتر افزایش می یابد. آنالیزساختاری نشان می دهد که لایه ها در ساختار هگزاگنال ساده چگالیده شده اند و با افزایش ضخامت، شدت قله ( 103 ) افزایش یافته و همچنین قله ( 110 ) در ضخامت های بالاتر ظاهر می شود که این نشان دهنده ی تاثیر ضخامت لایه روی خواص ساختاری است.
رشد لایه های نازک سولفید روی و بررسی خواص اپتیکی آن به روش سان پل authors