مطالعه اثر میدان الکتریکی بر خواص دو قطعه نانوالکترونیک مولکولی پیشنهادی
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 895
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_350
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این پژوهش، اثر میدان الکتریکی بر خواص ساختاری-الکترونی دو مولکول پیشنهادی، یکی به عنوان سیم کوانتومی و دیگری به عنوان کلید مولکولی تنظیم شونده، با استفاده از روش B3LYP/6-311++G مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد اعمال میدان بر سامانه مولکولی، علاوه بر جدائی بارهای الکتریکی در امتداد میدان، باعث جابجائی توزیع بار در جهت عمود بر امتداد میدان نیز می شود. جانشینی استخلاف F با Cl برروی حلقه های بنزنی کلید مولکولی، باعث تضعیف اثر میدان در کلید مولکولی می شود. مقادیر ESE و HLG سامانه های مولکولی مورد مطالعه، با افزایش شدت میدان، بطور غیرخطی کاهش می یابد.
Authors
حسن سبزیان
گروه شیمی دانشگاه اصفهان .
رضا صفری
گروه شیمی دانشگاه اصفهان .