اثر دما بر جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی در ترانزیستورهای تحرک پذیر بالای الکترونی AlGaN/GaN
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 3,062
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC88_428
Index date: 18 January 2010
اثر دما بر جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی در ترانزیستورهای تحرک پذیر بالای الکترونی AlGaN/GaN abstract
در این مقاله یک مدل تحلیلی - عددی برای جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی ترانزیستورهای اثرمیدان AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر دما را برجریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی بدست آوریم. در این مدل زیر باندهای پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون و همچنین وابستگی به دمای گاف نواری ، تراکم الکترونی چاه کوانتمی، ولتاژ آستانه، تحرک الکترونی، ثابت دی الکتریک ،چگالی بار قطبش القایی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار ترانزیستورهایی با تحرک پذیری بالای الکترونی را دارد.
اثر دما بر جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی در ترانزیستورهای تحرک پذیر بالای الکترونی AlGaN/GaN authors
رجب یحیی زاده
گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
زهرا هاشم پور
گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی