بررسی نظری تاثیر لایه میانی AlN بر تحرک پذیری گاز الکترون دو بعدی و خواص الکترونیکی در ساختار های ناهمگون AlInN/GaN

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 358

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-7-2_006

تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398

Abstract:

در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی دمایی (K 600-77) خواص ترابری الکتریکی گاز الکترون دو بعدی (2DEG) در ساختار ناهمگون Al0.83In0.17N/GaN در دو حالت با و بدون لایه میانی پرداخته ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در نمونه با لایه میانی تراکم دررفتگی ها به میزان 8/2 برابر نسبت به نمونه بدون لایه میانی کاهش یافته و این امر منجر به افزایش تحرک پذیری گاز الکترون دو بعدی در این نمونه شده است. همچنین با توجه به داده های گزارش شده در دمای K 77 مربوط به تراکم گاز الکترون 2D در این نمونه ها که حاکی از افزایش تراکم الکترونی در چاه کوانتومی نمونه ی با لایه میانی است به تحلیل داده ها بر پایه آمار فرمی – دیراک پرداختیم. معلوم شد که افزایش تراکم الکترونی در چاه منجر به کاهش عرض چاه کوانتومی و در نتیجه افزایش میدان الکتریکی داخلی می شود. این تغییرات همچنین سبب تغییر موقعیت تراز های انرژی و تراز فرمی در داخل چاه می گردد.

Authors

عطیه قلیچ لی

کارشناس ارشد

حسین عشقی

استاد فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D.G. Lee, A. Koizumi, ...
  • S.W. Kaun, E. Ahmadi, B. Mazumder, F. Wu, E.C. Kyle, ...
  • S. Gökden, R. Tülek, A. Teke, J.H. Leach, Q. Fan, ...
  • M.T. Hasan, H. Tokuda and M. Kuzuhara; Surface barrier height ...
  • A. Teke, S. Gökden, R. Tülek, J.H. Leach, Q. Fan, ...
  • Monemar; Effects of AlN interlayer on the transport properties of ...
  • InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic ...
  • chemical vapor deposition ; Journal of Crystal Growth 343, No. ...
  • J. H. Davies; The Physics of Low-dimensional Semiconductors: an introduction ...
  • Cambridge University Press (1998). ...
  • I. Lo, J.K. Tsai, Li-Wei Tu, K.Y. Hsieh, M. H. ...
  • Elhamri, W.C. Mitchel and J. K. Sheu; Piezoelectric effect on ...
  • δInδGa0.65N/GaN heterostructures ; Applied Physics Letters 80, No. 15 (2002) ...
  • J. Singh; Electronic and optoelectronic properties of semiconductor Structures ; ...
  • Cambridge University Press (2003). ...
  • K. Lee, M. S. Shur, T. J. Drummond and H. ...
  • electron gas in modulation doped AlxGa1-xAs/GaAs layers ; Journal of ...
  • Physics 54, No. 11 (1983) 6432-6438. ...
  • H. Eshghi and M. Mootabian; A quantitative study on the ...
  • concentration on two-dimensional electron gas (2DEG) mobility in a dilute ...
  • nitride GaAsN/AlGaAs heterostructure ; Solid State Communications 151, No. 1 ...
  • K. R. Begum and N.S. Sankeshwar; Phonon-limited electron mobility in ...
  • heterojunctions ; Diamond and Related Materials 49 (2014) 87-95.erostructures ; ...
  • thickness on two-dimensional electron mobility in GaN/AlGaN/GaN ...
  • heterostructures ; Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 25, ...
  • No.4 (2005) 431-437. ...
  • R. Tülek, E. Arslan, A. Bayraklı, S. Turhan, S. Gökden, ...
  • , T. Fırat, A. Teke and E. Özbay; The effect ...
  • two AlN layers on the transport properties of a lattice ...
  • AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN double channel heterostructure ; Thin Solid Films ...
  • S.L. Rumyantsev, M.S. Shur and M.E. Levinshtein; Materials Properties of ...
  • Nitrides: Summary ; International Journal of High Speed Electronics and ...
  • Systems 14, No. 01 (2004) 1-19. ...
  • S. Gökden, A. Ilgaz, N. Balkan and S. Mazzucato; The ...
  • mechanisms on the low field mobility in GaN/AlGaN heterostructures ; ...
  • E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 25, No. 01 (2004) 86-92. ...
  • J.L. Weyher, H. Ashraf and P.R. Hageman; Reduction of dislocation ...
  • epitaxial GaN layers by overgrowth of defect-related etch pits ; ...
  • Letters 95, No. 3 (2009) 031913.009) 063031. ...
  • نمایش کامل مراجع