بررسی مشخصه حسگر نوری پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si لایه نشانی شده به روش افشانه داغ
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 2، Issue: 1
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 359
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-2-1_003
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398
Abstract:
در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مریی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهX (XRD) و میکروسکوپ الکترونی (SEM) استفاده شد. خواص فوتوولتاییک پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si اندازه گیری شد و نتایج نشان داد که اگرچه اتصال الکترود ها به نمونه اهمی بوده اما مقاومت ان ها هنوز بالا بوده که باعث کاهش بازده سلول خورشیدی می شود بنابراین برای بالا بردن بازده نیازمند اتصالات اهمی با مقاومت حدود Ω1 و همچنین استفاده از لایه های اکسید رسانای شفاف نظیر FTO هستیم.
Keywords:
Authors
عبدالله مرتضی علی
دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :