بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت
Publish place: 2nd National Electrical Engineering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,823
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC02_020
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388
Abstract:
در این مقاله اثر تغییرات ضخامت عایق گیت در تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) برای یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور که کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی می گردد. نواحی سورس و درین با آلایش نانولوله و در راستای کانال ایجاد شده اند. شبیه سازی افزاره با استفاده از شیوه تابع گرین غیر تعادلی انجام شده است که معادله پوآسن را به صورت خود سازگار با معادله شرودینگر حل می کند. مشاهد می شود در کل با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزایش می یابد. اما در همه ی موارد شرایط اینگونه نیست. در قطرهای بالا، کاهش ضخامت عایق گیت تا یک مقدار مشخص عملکرد را بهبود می بخشد و کاهش بیشتر، نسبت Ion/Ioff را کاهش می دهد. کاهش قطر کانال نانولوله کربنی نیز موجب بهبود عملکرد ترانزیستور می گردد. همچنین میزان بهبود در عملکرد افزاره با تغییر قطر کانال و ضخامت عایق گیت، در دو ولتاز گیت 1 و 0.4 ولت، مورد بررسی قرار می گیرد.
Keywords:
Authors
شاهین قربانی زاده شیرازی
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات
ستار میرزا کوچکی
دانشگاه علم و صنعت ایران، دپارتمان مهندسی برق و پژوهشکده الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :