بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
Index date: 27 January 2010
بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت abstract
بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت Keywords:
بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت authors
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات
دانشگاه علم و صنعت ایران، دپارتمان مهندسی برق و پژوهشکده الکترونیک
مراجع و منابع این Paper: