سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت

Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,745

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NEEC02_020

Index date: 27 January 2010

بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت abstract

در این مقاله اثر تغییرات ضخامت عایق گیت در تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) برای یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور که کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی می گردد. نواحی سورس و درین با آلایش نانولوله و در راستای کانال ایجاد شده اند. شبیه سازی افزاره با استفاده از شیوه تابع گرین غیر تعادلی انجام شده است که معادله پوآسن را به صورت خود سازگار با معادله شرودینگر حل می کند. مشاهد می شود در کل با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزایش می یابد. اما در همه ی موارد شرایط اینگونه نیست. در قطرهای بالا، کاهش ضخامت عایق گیت تا یک مقدار مشخص عملکرد را بهبود می بخشد و کاهش بیشتر، نسبت Ion/Ioff را کاهش می دهد. کاهش قطر کانال نانولوله کربنی نیز موجب بهبود عملکرد ترانزیستور می گردد. همچنین میزان بهبود در عملکرد افزاره با تغییر قطر کانال و ضخامت عایق گیت، در دو ولتاز گیت 1 و 0.4 ولت، مورد بررسی قرار می گیرد.

بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت Keywords:

بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت authors

شاهین قربانی زاده شیرازی

دانشگاه آزاد اسلامی قزوین، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات

ستار میرزا کوچکی

دانشگاه علم و صنعت ایران، دپارتمان مهندسی برق و پژوهشکده الکترونیک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
P. Avouris, "Supertubes", IEEE Sperctrum, p.41, August 2004. ...
A.javey, J.Gou, Q.Wang, M. Lundstrom, H. J. Dai, Nature Material, ...
Anovel tunneling device design, " IEEE Transactions _ Electron Devices, ...
Molecular Nanostructure, (Editors: H. Kuzmany, J.Fink, M. Mehring and S ...
Physics Letters, vol. 86, pp. 123108, 2005 ...
G. Flori, G. Iannaccone, and G. Klimec, "Performance of C ...
J. Guo, S. Koswatta, N Neophytou, and M. Lundstrom, "Carbon ...
J. Guo, S. Datta, M.S. Lundstrom and M.P. Anantram, "Towards ...
Supriyo Datta, "Quantum Transport: Atom to Transistor, _ Cambridge University ...
R. Saito, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, "Physical Property ...
S. O. Koswatta, M. S. Lundstrom, M. P. Anantram, and ...
P. Avouris, J. Appenzeller, R. Martel, and S. J. Wind, ...
A. Javey and J. Kong, "Carbon Nanotube Electronics", Springer, 2007. ...
R. Saito, G. Dresselhausand M. S. Dresselhaus, "Physical properties of ...
J. Appenzeller, Y. M. Lin, J. Knoch, Z. H. Chen, ...
M. S. Fohrer, M. Forero, A.Zett, and P. L. McEuen, ...
S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, ...
J. Chen, C. Klinke, A. Afzali, and P. Avouris, "Self-aligned ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت" توسط شاهین قربانی زاده شیرازی، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات؛ ستار میرزا کوچکی، دانشگاه علم و صنعت ایران، دپارتمان مهندسی برق و پژوهشکده الکترونیک نوشته شده و در سال 1388 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس ملی مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور نانولوله کربنی، عملکرد ترانزیستور، ضخامت عایق گیت، تابع گرین غیر تعادلی هستند. این مقاله در تاریخ 7 بهمن 1388 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1745 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله اثر تغییرات ضخامت عایق گیت در تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) برای یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور که کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی می گردد. نواحی سورس و درین با آلایش نانولوله و در راستای کانال ایجاد شده اند. شبیه سازی افزاره ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.