بررسی و شبیه سازی تاثیرات کاهش گستره هم پوشانی سورس ودرین با گیت بر روی جریان درین و ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور سیلیکون بر عایق ( SOI-MOFET)
Publish place: 2nd National Electrical Engineering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,739
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC02_029
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388
Abstract:
در تکنولوژی روز دنیا ترانزیستورهای گستره درین نا متقارن (ADSE ) به خاطر بهبود اثرات کانال در تکنولوژی بلای 32 نانو متر اهمیت بالایی پیدا کرده است. یکی از اثرات گستره نامتقارن تاثیر بر روی جریان درین می باشد. به عبارتی جریان درین متناسب با تغییر میزان هم پوشانی بین قسمت سورس یا درین با گیت تغییر می کند. ما در این مقاله در دو حالت تاثیر این تغییرات گستره هم پوشانی را برجریان درین و همچنین بر ولتاژ آستانه مورد بررسی قرار داده ایم تا اثر افزایش طول کانال و تغییر میزان هم پوشانی را تفکیک کنیم. شبیه سازی و بررسی نتایج به کمک نرم افزار silvaco-atlas در این مقاله آورده شده است.
Keywords:
Authors
محسن خانی پرشکوه
گروه برق- دانشگاه تربیت معلم سبزوار
ایمان عباسپور کازرونی
گروه فیزیک- دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :