تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت کمنویز با ولتاژ پایین برای کاربردهایUWBدر تکنولوژی CMOS 0.18μm
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 473
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
KBEI04_205
Index date: 9 March 2019
تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت کمنویز با ولتاژ پایین برای کاربردهایUWBدر تکنولوژی CMOS 0.18μm abstract
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند 1(UWB) در محدوده فرکانسی 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز با دو ولتاژ خیلی پایین 0/8و 0/9ولت ارائه شده است. این مقاله در تکنولوژی CMOS 0.18µm پیاده سازی شده است، که مدار پیشنهادی از دو طبقه تقویت کننده توزیع شده 2 غیریکنواخت کسکود و یک طبقه تقویت کننده کسکود به طور متوالی برای دسترسی به پهنای باند وسیع استفاده شده است به طوری که با ایجاد خطوط انتقال غیریکنواخت در پورتهای تقویت کننده، پهنای باند و بهره تبدیل تقویت کننده پیشنهادی در محدوده عملیاتی فراپهن باند (UWB) افزایش مییابد. در این کار، تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت با استفاده از تکنولوژی CMOS 0. 18 μm طراحی و شبیه سازی شده است، که پهنای باند تقویت کننده پیشنهادی برابر 30 GHz، میباشد و همچنین با استفاده ازسلف دیجنریشن 3 در سورس ترانزیستورهای تقویتکننده، نویز فیگر4 مدار پیشنهادی کاهش مییابد. در مدار پیشنهادی تلفات برگشتی S11 دارای مقداری کمتر از -10dB میباشند و بهره ی مدار برابر با 13dB میباشد. نویز قابل قبولی در حدود 5/2 dB و IIP3 برابر 0dBm حاصل شده است، همچنین توان مصرفی مدار طراحی شده برابر 31/34 mW میباشد و مساحت اشغال شده تقویت کننده پیشنهادی برابر با0/61 0/22mm2 میباشد.
تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت کمنویز با ولتاژ پایین برای کاربردهایUWBدر تکنولوژی CMOS 0.18μm Keywords:
تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت کمنویز با ولتاژ پایین برای کاربردهایUWBدر تکنولوژی CMOS 0.18μm authors
حمیده حسین زاده سامانی
گروه برق ، دانشگاه گیلان رشت، ایران
ماهرخ مقصودی
عضو هیئت علمی گروه برق ، دانشگاه گیلان رشت، ایران
محمدرضا کاظمی
گروه برق ، دانشگاه گیلان رشت، ایران