ساختار جدید ترانزیستور دوقطبی پیوندی با آلاییدگی توسط میدان الکتریکی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 383
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KBEI04_216
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی معرفی شده است که آلایش نواحی آن از طریق میدان الکتریکی انجام میگیرد. نتایج شبیه سازی توسط نرم افزا سیلواکو نشان میدهد که این ساختار دارای مشخصات مشابه با ترانزیستور دو قطبی پیوندی معمولی است. پاسخ فرکانسی و پاسخ زمانی ساختار پیشنهادی با طراحی تقویت کننده امیتر مشترک بر پایه آن، تحلیل و بررسی شده است. طبق نتایج شبیه سازی فرکانس قطع ساختار 1.14 گیگاهرتز بدست آمده است که مناسب برای مدارهای فرکانس بالا است. یکی دیگر از مشخصات مورد توجه ساختار پیشنهادی نسبت بالای جریان روشن به خاموش است که بیشتر از 10 5 اندازه گیری شده است. نسبت بالای جریان روشن به خاموش در این ترانزیستور، این قطعه را گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتالی میکند.
Keywords:
Authors
علی رجبی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران، ایران
مینا امیرمزلقانی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران، ایران