کاربرد روش آنالیز هوموتوپی در معادله پواسن – بولتزمن برای افزاره های نیمه هادی
Publish place: First National Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Communications Technology
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 615
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECTCONF01_042
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1398
Abstract:
این مقاله کاربردی از روش آنالیز هوموتوپی که اخیرا به دست آمده است را شرح میدهد که برای به دست آوردن تقریب راه حل معادله غیرخطی پواسن - بولتزمن در افزاره های نیمه هادی استفاده میشود. این مقاله یک راه حل تحلیلی برای توزیع پتانسیل در یک ) DG-MOSEFT ترانزیستور اثر میدانی تشکیل شده از فلز - اکسید- نیمه هادی با دو گیت) است.DG-MOSEFT یکی از پیشرفته ترین ساختارها را در تکنولوژی نیمه هادی دارد تمرکز اصلی روی ساخت آن در صنعت نیمه هادی است.
Keywords:
Authors
مریم فریور
کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک،مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، شاهین شهر
پروین زنگنه
کارشناسی زبان و ادبیات فارسی، مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، اصفهان
پروانه احمدی مبارکه
کارشناسی ارشد ریاضی، سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، مبارکه