ارائه ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگون با گیت دو ماده ای برای کاربردهای آنالوگ و دیجیتال

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند با استفاده از نرم افزار Silvaco شبیه سازی می شود. بر اساس ایده های گیت دو ماده ای (DMG) و ساختار ناهمگون (H) کانال-سورس، دو افزاره حاصل شبیه سازی و تحلیل می شوند. ما با ترکیب این دو ایده ترانزیستوراثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگون با گیت دو ماده ای را ارائه می دهیم. تحلیل و مقایسه این ساختارها در حالت روشن و خاموش بر اساس الگوی نوار انرژی انجام می شود. با تحلیل مقایسه ای مشخصه جریان درین نسبت به ولتاژ گیت این افزاره ها جریان روشنایی بیشتر،شیب زیر آستانه کمتر، نسبت جریان روشنایی به خاموشی بالاتر و ولتاژ آستانه کمتر افزاره پیشنهادی نسبت به سه ساختار دیگر آشکار است. جهت بررسی مقایسه ای بیشتر، شاخص های هدایت انتقالی و فرکانس قطع نسبت به ولتاژ گیت این افزاره ها شبیه سازی شده اند. بهترین رفتار در مقایسه این شاخص ها نیز در افزاره پیشنهادی مشاهده میشود. بنابراین ترانزیستور پیشنهادی عملکردی بسیار خوب در کاربردهای دیجیتال و آنالوگ نسبت به سه افزاره دیگر دارد.

Keywords:

ترانزیستور تونلی بدون پیوند , گیت دو ماده ای , ساختار ناهمگون , ولتاژ آستانه و فرکانس قطع , شیب زیر آستانه