بهبود پارامترهای گیت معکوس کننده در فناوری نانولوله های کربنی

امروزه، استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی جایگاه ویژه ای در طراحی مدارهای دیجیتال و مجتمعع پیدا کرده است. خواص منحصر بفرد نانولوله های کربنی، استفاده از این مواد را در ترانزیستورهای اثر میدانی بسیار جذاب کرده است. در همین راستا، تلاش می شود تا با استفاده از این ترانزیستورها و ویژگی ها جالب آنها بتوان گیت های منطقی با تاخیر و توان مصرفی کمتر طراحی نمود؛ چرا که گیت منطقی به عنوان اصلی ترین و پایه ای ترین جزء مدارات دیجیتال از اهمیت بسیار بالایی برخوردار هستند. در این مقاله به طراحی و بهبود پارامتر توان میانگین و تاخیر انتشار در گیت معکوس کننده مبتنی بر این تکنولوژی پرداخته می شود. تاثیر تغییر در مشخصه های فیزیکی نانولوله های کربنی مانند تعداد نانولوله ها، فاصله ی نانولوله ها از یکدیگر و همچنین کایرالیتی نانولوله ها بررسی شده و بهترین مقادیر برای هر پارامتر معرفی می شود. نتایج شبیه سای ها حاکی از بهبود قابل توجه پارامترهای اساسی طراحی، در گیت منطقی مبتنی بر نانولوله کربنی می باشد، بطوریکه کاهش تعداد نانولوله های کربنی از 25 به 1، باعث کاهش حدودا 25 برابری توان میانگین و حداکثر توان می شود و هرچه فاصله نانولوله های کربنی از هم کمتر باشد، PDP بهبود می یابد.

Keywords:

نانولوله کربنی , توان میانگین , تاخیر انتشار , گیت منطقی , نانوالکترونیک